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氮化铝陶瓷基板研磨抛光用绿碳化硅微粉1000目15微米碳化硅

发布时间：2025-12-23 14:20:33浏览次数：次

绿碳化硅微粉1000#技术参数表

氮化铝陶瓷基板研磨抛光用绿碳化硅微粉1000目15um碳化硅

氮化铝陶瓷基板研磨抛光用绿碳化硅微粉1000目15微米碳化硅具有优异的磨削性能，粒度均匀，研磨无划痕。针对氮化铝陶瓷基板的表面研磨抛光，选用绿碳化硅微粉的优点会更贴合基板的核心应用需求（高导热、绝缘、高精度装配），具体优势如下：

1. 硬度匹配性佳，保护基板结构完整性

绿碳化硅莫氏硬度约9.2，与氮化铝陶瓷基板的硬度（莫氏9.0~9.5）接近且略低，属于“软磨硬”的适配组合。研磨抛光时既能高效去除基板表面的切割毛刺、烧结缺陷和加工余量，又不会因硬度过高造成基板表面微裂纹、崩边，避免破坏基板的致密性——这对氮化铝基板的导热性能和绝缘性能至关重要，微裂纹会直接导致导热路径中断或绝缘失效。

2. 化学惰性强，保障基板表面纯度

绿碳化硅在常温及中温抛光环境下化学性质稳定，不会与氮化铝基板发生化学反应，也不会引入金属杂质（如铁、铜等）。而氮化铝基板多用于电子封装、功率器件散热等场景，表面杂质会降低其绝缘性和导热效率，绿碳化硅微粉的这一特性可确保基板表面**高洁净度**，无需额外复杂的除杂工艺。

3. 颗粒形貌规整，实现低粗糙度超光滑表面

优质绿碳化硅微粉的颗粒呈**等轴状、棱角锋利且均匀**，抛光过程中切削作用一致，不易产生深划痕。通过搭配不同粒度的微粉（如粗磨用W20、精抛用W1.5），可实现阶梯式加工，最终使氮化铝基板表面粗糙度降至**Ra 0.01~0.1 μm**，满足基板后续的金属化镀膜、芯片键合等高精度装配要求。

4. 导热性优异，避免基板热应力损伤

绿碳化硅导热系数达120~180 W/(m·K)，在研磨抛光的摩擦生热过程中，能快速导出局部热量，防止基板因**局部高温**出现热膨胀不均，进而避免热应力裂纹的产生。这一点对大尺寸氮化铝基板（如5G基站用基板）的批量加工尤为重要，可显著降低基板的报废率。

5. 性价比高，适配基板规模化生产

相较于金刚石微粉（超硬磨料，成本是绿碳化硅的数倍），绿碳化硅微粉在氮化铝基板的中高精度抛光中，能达到同等的表面质量效果，且采购和使用成本更低，更适合基板的**大规模工业化生产**，兼顾加工效率与经济性。

6. 易清洗，简化基板后续工艺

绿碳化硅微粉不溶于水和常见有机溶剂，抛光后残留的磨料可通过超声清洗、高压喷淋等常规方式彻底去除，不会在基板表面形成顽固附着层，有效简化后续的金属化、光刻等工艺步骤，缩短生产周期。

7. 粒度分布可控，适配基板不同抛光阶段

绿碳化硅微粉可提供从粗磨（如W40）到精抛（如W0.5）的全系列粒度，能匹配氮化铝基板“粗磨去缺陷→半精磨减薄→精抛提光洁度”的完整加工流程，无需更换其他类型磨料，降低工艺切换的复杂度。

需要注意的是，用于基板抛光的绿碳化硅微粉需满足高纯度（SiC≥99%）、低游离硅、窄粒度分布的要求，避免粗颗粒杂质造成基板表面二次划伤。

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