绿色碳化硅粉1200#用于高压硅堆二极管芯片研磨的优势
绿碳化硅微粉 1200#（对应粒度约 10–14 μm）用于高压硅堆二极管芯片研磨，核心优势源于其精准的粒度分布、高硬度、化学稳定性及自锐性，能够匹配芯片研磨对表面平整度、损伤层深度、加工效率的严苛要求，具体优点如下：
1. 粒度均匀性高，研磨表面精度可控
1200# 绿碳化硅微粉属于细粒度微粉，粒度分布集中，无大颗粒杂质。在研磨过程中，磨粒切削深度一致，可将二极管芯片表面粗糙度（Ra）控制在 0.01–0.05 μm 范围内，满足高压硅堆芯片对表面平整度的要求，避免因粒度不均导致的划痕、麻点等缺陷，保障芯片后续的外延生长、电极制备等工序质量。
2. 高硬度 + 适中脆性，兼具切削效率与自锐性
绿碳化硅莫氏硬度达 9.3，仅次于金刚石和立方氮化硼，对硅单晶（莫氏硬度 7）具有强切削能力，研磨效率高于氧化铝微粉。同时，绿碳化硅具有适中的脆性，磨粒在研磨压力下会沿解理面断裂，形成新的锋利切削刃（自锐性），避免磨粒钝化后对芯片表面产生挤压损伤，保证研磨过程的稳定性。
3. 化学惰性强，无杂质污染芯片
绿碳化硅纯度高（工业级纯度≥98.5%，高纯级≥99.5%），化学性质稳定，在研磨液（水基或油基）及常温环境下，不与硅芯片发生化学反应，也不会引入金属离子（如 Fe、Cu、Ni）或非金属杂质。这对高压硅堆二极管至关重要 —— 杂质污染会导致芯片漏电流增大、耐压值下降，直接影响器件的电气性能和可靠性。
4. 研磨损伤层浅，降低后续抛光成本
1200# 微粉的切削刃尺寸小，研磨时仅作用于芯片表面的浅表层，产生的损伤层深度可控制在 1–3 μm 以内。相比粗粒度碳化硅微粉，后续只需经过 1–2 道精抛光工序即可去除损伤层，大幅缩短加工流程、降低抛光材料消耗，同时避免因深层损伤导致的芯片开裂风险。
5. 适配高压硅堆芯片的特殊需求
高压硅堆二极管芯片需具备高耐压、低漏电特性，其表面微观形貌直接影响 PN 结的均匀性。绿碳化硅 1200# 微粉研磨后的芯片表面无应力集中区，PN 结击穿电压稳定性更高；且研磨后的芯片厚度偏差可控制在 ±5 μm 内，满足高压硅堆多芯片串联封装的尺寸精度要求。
