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半导体碳化硅陶瓷用高纯度黑碳化硅粉末280#

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半导体碳化硅陶瓷用高纯度黑碳化硅粉末280#

发布时间：2026-04-29 10:45:00浏览次数：次

黑色碳化硅280#技术参数表

半导体碳化硅陶瓷用高纯度黑碳化硅粉末280#

高纯度黑碳化硅粉末280#是针对半导体级碳化硅陶瓷烧结与精密加工定制的高纯功能粉体，以石英砂与石油焦为原料，经电阻炉高温冶炼、多级酸碱提纯、超细研磨与精密分级制成，具有超高纯度、低杂质、晶型完整、粒度集中**的特点，适配半导体陶瓷的高致密、高导热、高绝缘需求。

产品特性（适配半导体陶瓷）

1. 超高纯度、低杂质：经酸碱深度提纯，金属与氧杂质极低，杜绝半导体陶瓷的电漏电、热阻偏高与晶格缺陷，适配功率器件、传感器基座等场景。

2. 晶型完整、高温稳定：六方α-SiC晶型，1900℃下保持稳定，烧结时晶粒生长均匀，陶瓷致密度≥98%、热导率≥180 W/m·K。

3. 粒度精准、成型性好：280#（59–65 μm）粒度集中，生坯干压/冷等静压成型密度高、收缩均匀，烧结后翘曲变形≤0.5%，适配半导体精密陶瓷件。

4. 高导热+高绝缘：热导率70–130 W/m·K、体积电阻率≥10¹⁴ Ω·cm，兼顾散热与电气隔离，适合半导体散热基板、绝缘封装件。

5. 耐酸碱、化学稳定：耐强酸强碱与半导体制程常用清洗剂，不与树脂、助剂反应，保障陶瓷件长期可靠性。

PRODUCT/产品: Black Silicon Carbide 280#/黑碳化硅280#
Physical Index/物理参数：

Hardness: HV/维氏硬度	2840-3320kg/mm²
Hardness: Mohs/莫氏硬度	9.2-9.3
Specific Gravity/比重	3.2-3.45 g/cm³
Particle Shape/颗粒形态	Fine powder/细小粉末
Color/颜色	Black/黑色
Bulk density(LPD)/堆积密度	1.40-1.50 g/cm³
Crystal shape/晶型	Hexagonal/六方晶型
Melting Point/熔点	dissociated at about 2300°C/2300°C游离
Maximum service temperature/使用温度上限	1900°C
Thermal conductivity/导热系数	70-130W/M·K
Thermal expansion coefficient/热膨胀系数	3.9-4.5 x10^-6 /°C (0-1600°C)

Chemical Composition/化学成分：

Chemical Item/化学成分	Guarantee Value/保证值(%)	Typical Value/典型值(%)
SiC/碳化硅	≥98.5%	99.2
Free C/游离碳	≤0.20	0.11
Fe2O3/三氧化二铁	≤0.10	0.05

Particle size distribution/粒度分布 (By Laser Analyzer LS609/激光粒度分析仪LS609) :

Size	Guarantee Value/保证值	Typical Value/典型值
D10(um)	≥39	40.354
D50(um)	59-65	60.084
D90(um)	≤92	89.240

应用场景：

半导体碳化硅陶瓷基板：功率器件（IGBT、MOSFET）散热基板、LED散热基座，高导热+高绝缘提升器件稳定性。
半导体陶瓷结构件：真空吸盘、晶圆载具、传感器外壳，高致密、低杂质、耐高温，适配半导体无尘制程。
精密陶瓷烧结原料：反应烧结/常压烧结SiC陶瓷主料，280#粒度平衡烧结活性与晶粒尺寸，兼顾强度与导热。
半导体陶瓷研磨粉：用于SiC陶瓷件精密研磨抛光，280#粒度适配粗磨/中磨工序，加工效率高、表面粗糙度低。

Package/包装：
25公斤编织袋+吨包 / 25kgs/Bag+1Ton/Jumbo Bag
25公斤编织袋+1吨托盘/ 25kgs/Bag+1Ton/Pallet
接受纸袋等定制包装/Customized Packages such as paper bag are available